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De la mémoire 3D très bientôt dans nos produits électroniques

Publié le 27 mars 2015 par Le Monde Numérique @lmn_officiel

Jusqu’ici la mémoire flash n’avait que 2 dimensions mais aujourd’hui avec les besoins de plus en plus croissants en termes de stockage, il fallait passer à une troisième dimension synonyme de bien plus grande capacité. Intel et Micron Technology vient ainsi d’annoncer la disponibilité de leur nouvelle technologie NAND 3D.

De la mémoire 3D très bientôt dans nos produits électroniques


La mémoire flash est aujourd’hui utilisée dans les ordinateurs portables, les smartphones, les tablettes tactiles et les autres petits dispositifs qui ont besoin d’embarquer des espaces de stockage plus ou moins important. Reste qu’avec les besoins croissants en la matière, les solutions actuelles sont assez limitées.

L’idée est d’accumuler les couches de stockage pour créer des dispositifs d’une capacité trois fois supérieure à celle des technologies NAND actuelles et concurrentes. Selon Intel, cette nouvelle mémoire assure un espace de stockage plus important dans un espace réduit autorisant des économies significatives en termes de coût et de consommation énergétique ainsi qu’une performance supérieure pour les équipements mobiles.

De la mémoire 3D très bientôt dans nos produits électroniques

« La collaboration d'Intel et de Micron a permis de créer une technologie de stockage SSD qui offre une performance et une efficacité sans équivalent sur le marché actuel » a déclaré Brian Shirley, vice-président chargé des technologies et solutions de mémoire chez Micron Technology. « Cette technologie NAND 3D a le potentiel nécessaire pour changer véritablement la donne sur le marché. L'impact majeur des mémoires flash dans des domaines comme les smartphones ou l'informatique de haute performance ne constitue qu'un début. »

Techniquement, Intel et Micron Technology utilisent une cellule à grille flottante. C’est une première dans la conception des mémoires NAND 3D. Les cellules flash sont ainsi accumulées sur 32 couches afin d’atteindre une cellule multi-niveau (MLC) de 256 Go et une cellule triple niveau (TLC) de 384 Go pour un format standard. Ainsi, il serait possible de proposer des disques durs SSD de 2,5 pouces d’une capacité de plus de 10 To ou des modules de mémoire de la taille d’une tablette de chewing gum proposant plus de 3,5 To d’espace de stockage.

Pratiquement, les premiers échantillons de la version MLC 256 Go de mémoire NAND 3D ont été livrés à certains partenaires d’Intel et de Micron Technology. Les échantillons de la version TLC 384 Go seront distribués dans le courant du printemps 2015. D’après Intel, les premiers essais de production ont déjà commencé et la société mise sur une production complète avant la fin de l’année et donc nous devrions voir les premiers appareils commercialisés embarquant cette technologie en toute fin d’année ou au début de l’année prochaine… 

 

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