YMTC X3-9070 est la mémoire flash NAND 3D la plus rapide de Chine

Juste à temps pour le Flash Memory Summit 2022, la société chinoise a présenté le YMTC X3-9070, la mémoire flash NAND 3D la plus rapide produite en interne dans le pays. Ceci est rendu possible, entre autres, par la technologie Xtacking 3.0 spécialement développée.

YMTC X3-9070 présenté au FMS 2022

Ces jours-ci, tous les regards sont tournés vers Santa Clara, en Californie, où les fabricants ont présenté leurs innovations en matière de mémoire lors du Flash Memory Summit 2022. En plus de la nouvelle plateforme SSD Phison X1, par exemple, SK Hynix a présenté une NAND à 238 couches, tandis que sa filiale Solidigm a dévoilé son premier produit, le P41 Plus.

Le fabricant chinois YMTC était également présent en première, dévoilant la nouvelle mémoire flash NAND 3D YMTC X3-9070, qui serait le successeur du X2-9060. On dit qu’il augmente considérablement en termes de vitesse et qu’il est également nettement plus petit avec la même capacité.

YMTC (Yangtze Memory Technologies Company), fondée en 2016 à Wuhan, en Chine, est financée entre autres par le gouvernement et constitue le plus grand fabricant de mémoire flash du pays.

Le nouveau X3-9070 est une TLC NAND avec 3 bits par cellule mémoire (Triple Level Cell). Le nouveau modèle offrirait un énorme 1 To par puce, ce qui représente un doublement par rapport à son prédécesseur. Cependant, le fabricant n’a fourni aucune information sur le nombre de couches.

Le constructeur chinois ne participe pas à la course aux couches, que SK Hynix et Micron ont récemment poussée à l’extrême avec 238 et 232 couches de mémoire dans le Micron v6, et n’a étonnamment pas révélé de détails sur le nombre de couches. Cependant, celui-ci devrait être plus grand que son prédécesseur, le X2-9060, qui proposait 128 couches.

Nouvelle architecture Xtacking 3.0

Il existe cependant des détails sur le YMTC X3-9070 à d’autres niveaux. Comme son nom l’indique, le modèle passe à l’architecture Xtacking 3.0 plus moderne – un développement interne de l’entreprise.

Ici, la logique de la puce d’E/S et la mémoire NAND sont fabriquées séparément sur une plaquette distincte et combinées seulement plus tard sur une puce mémoire. Cependant, rien n’a été révélé sur les détails de la troisième génération de cette architecture.

Cependant, les performances augmenteraient considérablement grâce à la nouvelle conception à 6 plans et à l’interface de 2 400 MT/s (ONFI 5.0). Par rapport au prédécesseur, une augmentation des performances d’environ 50 pour cent est évoquée. Les performances sont, du moins sur le papier, comparables à celles de SK Hynix et Micron.

Dans le même temps, la consommation électrique de la NAND 3D de YMTC devrait diminuer considérablement. La nouvelle mémoire flash est censée consommer environ 25 % d’énergie en moins. Cela semble au moins prometteur.

En revanche, on ne sait pas exactement dans quelle mesure le développement de la mémoire flash NAND 3D YMTC X3-9070 a déjà progressé. La société n’a mentionné aucun détail sur la maturité du marché dans la présentation.