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Samsung dévoile des cartes microSD SD Express atteignant 800 Mo/s

Publié le 01 mars 2024 par Zaebos @MetatroneFR

Samsung dévoile enfin sa première carte microSD de 1 To

Pourquoi est-ce important: Bien que la spécification de vitesse SD Express pour les cartes SD existe depuis des années, les produits qui l’utilisent ont mis du temps à apparaître. Samsung prévoit de changer cela en 2024 avec une nouvelle variante de carte microSD qui augmente considérablement les vitesses par rapport aux modèles précédents.

Samsung a commencé à échantillonner des cartes microSD SD Express de 256 Go qui atteignent des vitesses d’écriture allant jusqu’à 800 Mo/s. La société prévoit de commencer à vendre les cartes plus tard cette année.

Des vitesses d’écriture de 800 Mo/s et des vitesses de lecture de 1 Go/s rendent les prochaines cartes SD Express de Samsung plusieurs fois plus rapides que les produits UHS-I ou UHS-II courants. À titre de comparaison, la carte haute performance la mieux notée dans le guide d’achat de carte SD de Metatrone – la Lexar Professional 2000x 256 Go SDXC UHS-II – ne gère que 260 Mo/s en écriture et 300 Mo/s en lecture. Les nouvelles cartes de Samsung surpassent également les SSD SATA, qui ont tendance à écrire à environ 500 Mo/s.

Lisez également : Guide d’achat de cartes microSD et SD – Classes, performances, quoi acheter

La technologie SD Express, qui permet d’atteindre un nouveau niveau de vitesse dans les cartes SD, existe depuis un certain temps mais n’est pas encore apparue dans les produits largement disponibles. L’une des raisons probables est le manque de cas d’utilisation commercialisables, car les cartes disponibles les plus rapides prennent déjà en charge l’enregistrement vidéo 4K à haute fréquence d’images. Cependant, SD Express rendrait l’enregistrement 8K à 60 Hz ou 120 Hz plus viable.

Samsung suggère que les vitesses améliorées pourraient faciliter les applications d’IA sur les appareils, qui gagnent en popularité sur les appareils mobiles. Un autre élément matériel de mémoire récemment introduit par Samsung – la puce mémoire DRAM HBM3E 12H – vise à augmenter les performances des charges de travail d’IA générative.

L’entreprise a attribué son succès avec SD Express à un client anonyme développant un produit personnalisé. Il est difficile de déterminer l’identité du client, mais certains ont émis l’hypothèse que Nintendo pourrait utiliser cette technologie pour augmenter la vitesse de stockage et les temps de chargement du prochain successeur de la Nintendo Switch.

La nouvelle technologie serait théoriquement beaucoup plus rapide que la solution de mémoire du Switch d’origine mais moins gourmande en énergie qu’un SSD NVMe, et Nintendo donne souvent la priorité à la durée de vie de la batterie aux performances. Nous ne connaîtrons probablement pas l’identité du partenaire de Samsung jusqu’à ce que Nintendo dévoile sa prochaine console ou qu’un autre fabricant de matériel dévoile un produit avec un stockage SD Express personnalisé.

Pendant ce temps, Samsung a également dévoilé sa première carte microSD de 1 To, prévue pour une sortie au troisième trimestre 2024. Contrairement au prochain modèle SD Express, ceux-ci conservent les performances UHS-I typiques. La société est en retard sur cette spécification, car d’autres fournisseurs proposent depuis un certain temps des cartes microSD de cette capacité.


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