Samsung : mémoire flash MLC à 30 nm

Samsung vient d’annoncer de la mémoire flash MLC qui utilise une finesse de gravure de 30 nanomètres ! La production devrait commencer en 2009 et servir principalement à fabriquer des disques SSD... Voici une petite explication un peu plus technique via nos confrères de Presence-PC.

Actuellement, Samsung utilise la technique SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) pour sa mémoire. Elle permet de graver des puces de mémoire MLC, ce qui n’est pas vraiment intéressant. En schématisant, la mémoire flash MLC (Multi Layer Cell) permet de stocker 2 bits (ou plus) par transistor, alors que la SLC (Single Layer Cell) se limite à un seul. Mais la MLC a un gros défaut : elle est lente en écriture. Alors que les meilleures mémoires SLC peuvent écrire à 40 Mo/s, la MLC se limite à 10 Mo/s environ. Et contrairement aux disques durs, l’augmentation de la densité n’augmente pas la vitesse. Par contre, la MLC est avantageuse dans certains cas : la miniaturisation est plus efficace (volume divisé par deux) et elle est moins onéreuse. En passant en 30 nanomètres, des capacités de 256 ou 512 Go en format 2,5 pouces ne sont pas irréalistes.